H橋電路驅動芯片的工作原理是通過控制四個晶體管的導通與截止來實現電機的正轉、反轉和停止凱發k8首頁，。H橋電路由四個晶體管（通常為MOSFET）組成，形成“H”型結構凱發k8官網首頁。當Q1和Q
工採網代理的電機驅動芯片 - SS8812T為打印機和其它電機一體化應用提供一種雙通道集成電機驅動方案輸了被罰讓別人玩一個月。SS8812T有兩路H橋驅動，每個H橋可提供較大輸出電流1.6A (在24V和Ta=25C適當散熱條件下)，可驅動兩個刷式直流電機，或者一個雙極步進電機，或者螺線管或者其它感性負載
小型封裝內置第4代SiC MOSFET凱發K8國際娛樂。，實現業界超高功率密度，助力xEV逆變器實現小型化！
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（電動汽車）用牽引逆變器，開發出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack”凱發k8官網首頁，共4款產品（750V 2個型號：BSTxxxD08P4A1x4，1
ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件體積減少99％
近年來凱發k8官網首頁，為了實現可持續發展的社會輸了被罰讓別人玩一個月，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名
安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構
作者：安森美產品推廣工程師Vladimir Halaj自電動汽車 （EV） 在汽車市場站穩腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統凱發K8國際，、更大的電池容量和更短的充電時間電氣工程！。為滿足客戶需求和延長行駛裡程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量
Nexperia推出首款採用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET（ASFET）凱發k8官網首頁，管腳尺寸縮小60％
RDS（on）額外降低40％，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應用奈梅亨輸了被罰讓別人玩一個月凱發k8官網首頁，2023年3月22日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用
英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25－150V OptiMOS 源極底置功率MOSFET
【2023年01月13日，德國慕尼黑訊】未來電力電子系統的設計將持續推進凱發k8官網首頁，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司（FSE代碼：IFX ／ OTCQX代碼：IFNNY）推
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍
全面優化12V熱插拔和軟啟動應用中控制浪湧電流的RDS（on）和SOA奈梅亨輸了被罰讓別人玩一個月，2022年11月18日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優化的25V和30V器件
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET （ASFET）將SOA增加了166％，並將PCB佔用空間減小80％
（企業供圖）新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，並改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性並降低系統成本奈梅亨，2021年8月4日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款
Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品為行業領先的Qrr品質因數80 V／100 V MOSFET
新生產線提高了產能，力求滿足及時供應奈梅亨，2021年6月24日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS（on）和低Qrr 輸了被罰讓別人玩一個月，80 V和100 V MOSFET
Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度
領先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性奈梅亨輸了被罰讓別人玩一個月凱發k8官網首頁電子工程，，2021年5月27日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFET輸了被罰讓別人玩一個月凱發k8旗艦廳app下載手機版，該器件採用高可
